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第四代半导体氧化镓,浙大杭州科创中心新技术路线制备2英寸晶圆

时间:2022-05-08 17:58    作者:子墨   来源:IT之家    热搜:杭州,技术

最近几天,在首席科学家杨德仁院士的带领下,浙江大学杭州国际科技创新中心先进半导体研究院发明了一种全新的熔体法,研制出氧化镓块状单晶和晶片目前已经成功制备出直径2英寸的氧化镓晶片

来自浙江大学杭州科技创新中心的消息称,新技术路线生长的氧化镓晶片有两个明显的优势第一,用这种方法生长的氧化镓晶片的晶面是特定的,使得制造的功率器件具有更好的性能,其次,由于采用了新的熔融法路线,减少了贵金属铱的使用,使得氧化镓的生长过程不仅更加简单可控,而且成本更低,具有更大的产业化前景

此外,该团队计划在2年内制造出直径为4英寸的大尺寸氧化镓晶片,这将进一步帮助国内氧化镓产业发展。

第四代半导体氧化镓,浙大杭州科创中心新技术路线制备2英寸晶圆

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